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2SJ352-E|Renesas Electronics America
聲明:圖片僅供參考,請以實物為準!
2SJ352-E
制造商型號: 2SJ352-E
制造商: Renesas Electronics America
描述: MOSFET P-CH 200V 8A TO-3P
技術參考: Rohs PDF查詢
庫存狀態: 實時庫存查詢  所在地:深圳全新原裝現貨
備注: 代理銷售世界各大品牌電子元器件,大量全新原裝正品現貨
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產品信息
數據列表 2SJ351-52
產品相片 TO-3P-3, SC-65-3; PRSS0004ZE-A
標準包裝  1
類別分立半導體產品
家庭FET - 單
系列-
包裝  管件  
FET 類型MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 功能標準
漏源極電壓 (Vdss)200V
電流 - 連續漏極 (Id)(25° C 時)8A (Ta)
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值)-
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)-
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)-
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)800pF @ 10V
功率 - 最大值100W
安裝類型通孔
封裝/外殼TO-3P-3,SC-65-3
供應商器件封裝TO-3P

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